ICC訊 近日,格芯(GlobalFoundries)宣布已與臺積電(TSMC)就650伏和80伏氮化鎵(GaN)技術(shù)達成一項技術(shù)許可協(xié)議。這一戰(zhàn)略舉措將加速格芯面向數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和汽車電源應(yīng)用的下一代GaN產(chǎn)品開發(fā),并為全球客戶群提供基于美國的GaN產(chǎn)能。
隨著傳統(tǒng)硅CMOS技術(shù)逼近其性能極限,氮化鎵正逐漸成為滿足電源系統(tǒng)對更高效率、功率密度和更緊湊尺寸需求的下一代解決方案。格芯正在開發(fā)全面的GaN產(chǎn)品組合,其中包括旨在支持電動汽車、數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)和快速充電電子產(chǎn)品的高性能650伏和80伏技術(shù)。格芯的GaN解決方案專為嚴苛環(huán)境而設(shè)計,并在工藝開發(fā)、器件性能和應(yīng)用集成等方面采用整體性方法以確保GaN的可靠性。
格芯將在其位于佛蒙特州伯靈頓的制造工廠對獲授權(quán)的GaN技術(shù)進行資格認證,利用該工廠在高電壓硅基氮化鎵技術(shù)方面的專業(yè)知識,為尋求下一代功率器件的客戶加速量產(chǎn)進程。開發(fā)工作定于2026年初進行,并于同年晚些時候開始生產(chǎn)。
“這項協(xié)議強化了格芯對創(chuàng)新的承諾,以及其對差異化技術(shù)的戰(zhàn)略關(guān)注,這些技術(shù)關(guān)乎我們用于生活、工作和連接的關(guān)鍵電源設(shè)備,”格芯電源業(yè)務(wù)高級副總裁Téa Williams表示,“通過引入這項經(jīng)過驗證的GaN技術(shù),我們將加速下一代GaN芯片的開發(fā),并提供差異化解決方案,以彌補從數(shù)據(jù)中心到汽車,再到工廠車間等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中的核心電源技術(shù)缺口?!?
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